详细介绍
列真株式会社自创业以来，秉承“挑战"、“创造"、“诚实"的经营理念，为顾客提供可靠、可信的产品和服务。运用激光扫描技术，专门制造、销售半导体材料表面及内部检查、石英玻璃表面检查等检查装置。其激光检测技术可同时收集激光的反射光，透射光以及共聚焦，可一次性检查第三代半导体SIC等材料表面，背面和内部的缺陷，可探测最小缺陷为100纳米，主要用于半导体光罩、LCD大型光罩的石英玻璃表面、内部、背面的缺陷检查。
特征：
SiC单晶晶圆和EPI晶圆都可以检查。
不仅是表面缺陷，内部缺陷和背面缺陷也同时检查。
有助于缺陷分析的4种Review图像。
“AI Classify”进行缺陷分类、好坏判定。
免维护。
世界FIRST用反射散射光、透射散射光、共聚焦光的混合检查装置。
能检出至今为止检查不出的缺陷。
规格：
| 检查激光 | 405nm 200mW |
| 检查时间 | 200sec（尺寸：4英寸） |
| 检查对象 | 2英寸、3英寸、4英寸、6英寸 |
| 设备尺寸 | WxDxH＝450x500x730mm |
| 使用电源 | AC100V~200V 10A |
应用：
SiC、GaN
半导体光罩（石英玻璃与涂层）
石英Wafer Si Wafer
HDD Disk LT Wafer
蓝宝石衬底
EUV光罩
光罩防尘膜
可全面检测表面、内部、背面的缺陷。
检出缺陷：颗粒、划痕、结晶缺陷。
外延缺陷 衬底缺陷
胡萝卜型缺陷 六方空洞缺陷
慧星缺陷 层错缺陷
三角缺陷 微管缺陷
边缘缺陷
CI8是一款专为SiC、GaN等第三代半导体晶圆设计的激光扫描检测装置，采用反射散射光、透射散射光与共聚焦光混合检测技术，可一次性完成晶圆表面、背面及内部缺陷的全面检测，最小可检出100 nm缺陷。设备支持2至6英寸晶圆，单张4英寸晶圆检测时间约200秒，紧凑的机身（450×500×730 mm）便于在实验室或产线灵活部署。
在实际使用中，该设备可有效识别颗粒、划痕、微管、堆垛层错、胡萝卜缺陷、三角缺陷等SiC/GaN典型缺陷，并同步提供四种高倍率复查图像，结合AI分类功能实现缺陷自动归类与良率判定。设备采用免维护设计，运行成本低；除SiC、GaN外，还可用于蓝宝石衬底、石英光罩、硅片、HDD玻璃基板等材料的表面与内部缺陷检测。
在配置与选型方面，用户可依据晶圆尺寸与检测通量需求选择载物台规格，并可与产线自动化系统（如SECS/GEM）对接，实现检测数据集成与批次管理。如需评估该设备对您特定缺陷类型的检出能力，或获取样品实测与工艺适配方案，欢迎联系我们进行技术交流。
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