高通量无掩模曝光光刻系统

EVG 的 LITHOSCALE® XT 与上一代 LITHOSCALE® 系统相比，产能（吞吐量）最高提升了五倍，支持 300mm 晶圆及 300mm 方形基板。该系统非常适用于多芯片图案化（Multi-die patterning）、面向人工智能（AI）和高性能计算（HPC）器件的扇出型晶圆级封装（FoWLP）、板级封装（PLP）、MEMS、先进图像传感器，以及用于安防和汽车领域的芯片可追溯性标记等应用。LITHOSCALE® XT 的处理管线能够对矢量化的图案数据进行数字化转换，并基于预测量和实时获取的对准信息，在曝光过程中补偿形变。

该系统可在单一或双波段（λ≈375 nm 和 405 nm）下同时运行，能够对厚薄光刻胶、介电材料、透明、黑色、RGB 或 IR 光刻胶以及众多其他成熟与新型材料进行最佳曝光。独立的“曝光矩阵（Exposure Matrix）"允许任意选择测试参数组合（如曝光剂量、光谱成分、焦点位置和曝光速度），从而在量产爬坡阶段快速确定最佳工艺配方和多维工艺窗口，最大限度地缩短设备调试时间并简化材料更换流程。该设备具备的工艺控制能力，能够精确控制侧壁轮廓，并实现复杂形貌结构和高深宽比的图案化。曝光过程覆盖整个晶圆表面，实现了零拼接（Zero stitch）性能。

LITHOSCALE® XT 是面向先进封装应用的数字化高量产光刻系统。其具备的实时自动对焦、大焦深、动态形变补偿以及广泛的工艺矩阵能力，充分证明了该技术相较于传统曝光系统在面向下一代器件应用中的显著优势。

核心特性

·基板兼容性：支持最大 300mm 的晶圆以及 300mm 方形面板。

·双工作台概念：配备六个曝光头，采用双工作台（Dual-stage）架构设计。

·双波长曝光：借助高功率紫外激光二极管，单个曝光头内即可实现 375nm 和 405nm 双波长曝光。

·高分辨率：线宽/线距（L/S）小于 2 µm。

·全晶圆零拼接图案化：无曝光场（Field-exposure）或裸芯片尺寸（Die-size）限制，实现全晶圆无缝拼接图案化。

·对焦与焦深性能：自动对焦范围 ±50 µm，焦深 ±12 µm，工作距离大于 6 mm。

·多模式对准：支持顶面、可见光以及反射红外（IR）对准。

·产品线兼容：与现有的 LITHOSCALE® 系列产品在工艺和产品上保持兼容。

·实时形变补偿：具备实时曝光版图校正功能，用于补偿晶圆级形变。

·对准标记支持：最多支持 16 个对准标记（Alignment marks）。

·版图数据格式：支持 GDS II（标准格式）、Gerber、OASIS，以及 ODB++（可选格式）。

·广泛的应用支持：兼容多种曝光应用，例如：薄厚光刻胶（厚度从小于 1 微米到大于 100 微米）、化学放大胶、正胶与负胶、介电材料、RGB 与红外（IR）光刻胶，以及高深宽比图案化等。

·动态芯片标注：支持动态芯片信息标注功能（例如：日期、时间、基板 ID、序列号等）。