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当一颗颗微米级芯片需要“搬家”时,激光LIFT技术正以每小时数亿颗的速度,重塑显示制造的效率边界。在MicroLED的制造迷宫中,最棘手的关卡并非如何让像素发光,而是如何将数千万乃至数亿颗比头发丝还细的微型芯片,从生长晶圆精准“搬运”到驱动...
硅片厚度测量仪是采用红外干涉技术的一款测量仪器。它能够精确测量硅片厚度和测量TTV总厚度变化,也能实时测量超薄晶圆厚度(掩膜过程中的晶圆),硅片厚度测试仪非常适合晶圆的研磨、蚀刻、沉淀等厚度测量应用。硅片厚度测量仪具有突出优势,诸多材料例如Si、GaAs、InP、SiC、玻璃、石英以及其他聚合物在红外光束下都是透明的,非常容易测量,标准的测量空间分辨率可达50微米,更小的测量点也可以做到。目前,仪器可广泛用于MEMS、晶圆、电子器件、膜厚、激光打标雕刻等工序或器件的测量。该硅...
电容式位移传感器基于平板电容原理。电容的两极分别是传感器和与之相对的被测物体。如果有稳定交流电通过传感器,输出交流电的电压会与传感器到被测物体之间的距离成正比关系,从而可以通过测量电压的变化得到距离信息。电容位移传感器是一种非接触电容式原理的精密测量仪器,具有一般非接触式仪器所共有的无磨擦、无损磨特点外,还具有信噪比大,灵敏度高,零漂小,频响宽,非线性小,精度稳定性好,抗电磁干扰能力强和使用操作方便等优点。实际应用当中电容式传感器可以实现近乎的线性测量。但是,电容传感器要求探...
显微镜秒变光刻机!--显微镜LED曝光单元电子显微镜和光刻机,两个看上去风马牛不相及的东西,是如何结合到一起的?我们向您介绍一款无掩膜显微镜LED曝光单元UTA-3A-53M,能令显微镜秒变光刻机!该设备是一种具有高性价比的曝光装置,其DLP固定在显微镜的三目镜部分,而照相机则固定在目镜部分。可以将专用程序产生的图案投影并在显微镜下曝光在样品上。<特征>•显微镜LED曝光单元UTA系列是用于光刻的无掩模图案投影曝光设备。•使用金属显微镜和LED光源DLP投影仪,将分辨率为几μ...
FR-Scanner-AIO-Mic-XY200:微米级定位精度自动化薄膜厚度测绘系统介绍FR-Scanner-AIO-Mic-XY200是一款自动薄膜厚度测绘系统,用于全自动图案化晶圆上的单层和多层涂层厚度测量。电动X-Y载物台提供适用尺寸200mmx200mm毫米的行程,通过真空固定在载台上时进行精确测量。可依测量厚度和波长范围应用需求可在在200-1700nm光谱范围内提供各种光学配置.应用o大学&研究实验室o半导体(氧化物、氮化物、Si、抗蚀剂等)oMEMS器件(光刻...
1.摘要本研究探讨了同质外延生长的4H-SiC晶片表面堆垛层错(SF)的形貌特征和起因。依据表面缺陷检测设备KLA-TencorCS920的光致发光(PL)通道和形貌通道的特点,将SF分为五类。其中I类SF在PL通道图中显示为梯形,在形貌图中不显示;II类SF在PL通道图中显示为三角形,且与I类SF重合,在形貌图中显示为胡萝卜形貌。III-V类SF在PL通道图中均显示为三角形,在形貌图中分别显示为胡萝卜、无对应图像或三角形。研究结果表明,I类SF起源于衬底的基平面位错(BPD...