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FR-Scanner-AIO-Mic-XY200是一款自动薄膜厚度测绘系统，用于全自动图案化晶圆上的单层和多层涂层厚度测量。电动X-Y载物台提供适用尺寸 200mm x 200mm的行程，可在 200-1700nm 光谱范围内提供各种光学配置。
FR-Scanner-AllInOne-Mic-XY200 模块化厚度测绘系统平台，集成了先进的光学、电子和机械模块，用于表征图案化薄膜光学参数。典型案例包括（但不限于）微图案表面、粗糙表面等。
该机型光学模块功能强大，可测量的光斑尺寸小至几微米。真空吸盘支持尺寸/直径达 200 毫米的各种晶圆。电动平台提供XY方向200 毫米的行程，在速度、精度和可重复性方面均有出色表现。
FR-Scanner-AIO-Mic-XY200提供：
l 实时光谱反射率测量
l 薄膜厚度、光学特性、不均匀性测量、厚度测绘
l 使用集成的、USB连接的高质量彩色相机进行成像
l 测量参数的统计数据
应用：
大学，研究所，实验室
半导体（氧化物、氮化物、Si、抗蚀剂等）
MEMS器件（光刻胶、硅膜等）
LED、VCSEL、BAW、SAW滤波器
数据存储
聚合物涂料、粘合剂等
生物医疗（聚丙烯、球囊壁厚等）
特点：
鼠标点击即可测量（不需要预估值）
动态测量
测量包括光学常数（N&K）和色度
鼠标点击移动和图案测量位置对齐功能
提供离线分析软件
软件升级免费
规格：
| Model | UV/VIS | UV/NIR -EX | UV/NIR-HR | D UV/NIR | VIS/NIR | D VIS/NIR | NIR | NIR-N2 | ||
| Spectral Range (nm) | 200 – 850 | 200 –1020 | 200-1100 | 200 – 1700 | 370 –1020 | 370 – 1700 | 900 – 1700 | 900 - 1050 | ||
| Spectrometer Pixels | 3648 | 3648 | 3648 | 3648 & 512 | 3648 | 3648 & 512 | 512 | 3648 | ||
| Thickness range (SiO2) *1 | 5X- VIS/NIR | 4nm – 60μm | 4nm – 70μm | 4nm – 100μm | 4nm – 150μm | 15nm – 90μm | 15nm–150μm | 100nm-150μm | 4um – 1mm | |
| 10X-VIS/NIR 10X-UV/NIR* | 4nm – 50μm | 4nm – 60μm | 4nm – 80μm | 4nm – 130μm | 15nm – 80μm | 15nm–130μm | 100nm–130μm | – | ||
| 15X- UV/NIR * | 4nm – 40μm | 4nm – 50μm | 4nm – 50μm | 4nm – 120μm | – | – | 100nm-100μm | – | ||
| 20X- VIS/NIR 20X- UV/NIR * | 4nm – 25μm | 4nm – 30μm | 4nm – 30μm | 4nm – 50μm | 15nm – 30μm | 15nm – 50μm | 100nm – 50μm | – | ||
| 40X- UV/NIR * | 4nm – 4μm | 4nm – 4μm | 4nm – 5μm | 4nm – 6μm | – | – | – | – | ||
| 50X- VIS/NIR | – | – | – | – | 15nm – 5μm | 15nm – 5μm | 100nm – 5μm | – | ||
| Min. Thickness for n & k | 50nm | 50nm | 50nm | 50nm | 100nm | 100nm | 500nm | – | ||
| Thickness Accuracy **2 | 0.1% or 1nm | 0.2% or 2nm | 3nm or 0.3% | |||||||
| Thickness Precision **3/4 | 0.02nm | 0.02nm | <1nm | 5nm | ||||||
| Thickness stability **5 | 0.05nm | 0.05nm | <1nm | 5nm | ||||||
| Light Source | Deuterium & Halogen | Halogen (internal), 3000h (MTBF) | ||||||||
| Min. incremental motion | 0.6μm | |||||||||
| Stage repeatability | ±2μm | |||||||||
| Absolute accuracy | ±3μm | |||||||||
| Material Database | > 700 different materials | |||||||||
| Wafer size | 2in-3in-4in-6in-8in | |||||||||
| Scanning Speed | 100meas/min (8’’ wafer size) | |||||||||
| Tool dimensions / Weight | 700x700x200mm / 45Kg | |||||||||
测量区域光斑（收集反射信号的区域）与物镜和孔径大小有关▼
| 物镜 | Spot Size (光斑) | ||
| 放大倍率 | 500微米孔径 | 250微米孔径 | 100微米孔径 |
| 5x | 100 μm | 50 μm | 20 μm |
| 10x | 50 μm | 25 μm | 10 μm |
| 20x | 25 μm | 15 μm | 5 μm |
| 50x | 10 μm | 5 μm | 2 μm |
*1规格如有变更，恕不另行通知，*2与校正过的光谱椭偏仪和x射线衍射仪的测量结果匹配，*3超过15天平均值的标准偏差平均值，样品:硅晶片上1微米SiO2，*4标准偏差100次厚度测量结果，样品:硅晶片上1微米SiO2, *5 15天内每日平均值的2*标准差。样品:硅片上1微米SiO2。
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