
详细介绍
EVG BONDSCALE 旨在满足广泛的熔合/分子晶圆键合应用,包括工程基板制造以及采用层转移工艺的 3D 集成方法(如单片 3D,M3D)。借助 BONDSCALE,EVG 将晶圆键合技术引入半导体前道制造(Front-end)工艺中,致力于解决《国际器件与系统路线图》(IRDS)中确定的“延续摩尔定律(More Moore)"逻辑器件微缩化所面临的长期挑战。BONDSCALE 结合了增强的边缘对准技术,与现有的熔合键合平台相比,显著提升了晶圆键合的生产率,并降低了总体拥有成本(CoO)。
BONDSCALE 与 EVG 的 GEMINI FB XT 自动化熔合键合系统并行销售,两个平台分别针对不同的应用领域。BONDSCALE 主要专注于工程基板键合和层转移工艺;而 GEMINI FB XT 则支持需要更高对准精度的应用,例如存储器堆叠、3D 片上系统(SoC)、背照式(BSI)CMOS 图像传感器堆叠以及裸芯片分区(Die Partitioning)。
核心特性
·单平台全自动化熔合/分子晶圆键合:支持在单一平台上完成 200 mm 和 300 mm 晶圆的全自动熔合/分子键合应用。
·等离子体活化直接键合:支持等离子体活化直接晶圆键合,适用于不同材料的异构集成、高品质工程基板的制造,以及薄硅层转移应用。
·先进制程与 3D 集成支持:通过层转移工艺和工程基板,赋能逻辑器件微缩化及各类 3D 集成技术,包括单片 3D(M3)、包含背面供电网络(BSPDN)的 3D VLSI、N型与P型器件堆叠(N&P stacking)、逻辑-存储器堆叠(logic-on-memory)、功能模块集群堆叠,以及后摩尔时代超越 CMOS(beyond-CMOS)技术的导入与应用。
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