等离子去胶在使用时需注意哪四个影响要素？

　　去胶工艺是微加工过程中一个重要的过程，在电子束曝光，紫外曝光等微纳米加工工艺后，都要对光刻胶进行去除或打底膜处理。光刻胶是否去除干净对样片是否有损伤等问题，将直接影响后续工艺的顺利完成。

等离子去胶性能出色的组件和软件，可对工艺参数进行精确控制。它的工艺监测和数据采集软件可实现严格的质量控制。该技术已经成功的应用于功率晶体管、模拟器件、传感器、光学器件、光电、EMS/MOEMS、生物器件、LED等领域。

　　产品具有去胶快速*；对样片无损伤；操作简单安全；设计紧凑美观；产品性价比高等优势。

 

　　等离子去胶在使用中四大影响要素，希望能帮到大家。

　　1、调整合适的频率：频率越高，氧越易电离构成等离子体。频率太高，以致电子振幅比其平均自由程还短，则电子与气体分子磕碰概率反而减少，使电离率降低。通常常用频率为13.56MHz及2.45GHZ。

　　2、调整合适功率：关于必定量的气体，功率大，等离子体中的的活性粒子密度也大，去胶速度也快；但当功率增大到必定值，反响所能耗费的活性离子到达饱满，功率再大，去胶速度则无显着添加。由于功率大，基片温度高，所以应根据技术需求调理功率。

　　3、调整适合的真空度：恰当的真空度，可使电子运动的平均自由程变大，因而从电场取得的能量就大，有利电离。别的当氧气流量必守时，真空度越高，则氧的相对份额就大，发生的活性粒子浓度也就大。但若真空度过高，活性粒子浓度反而会减小。

　　4、氧气流量的调整：氧气流量大，活性粒子密度大，去胶速率加速；但流量太大，则离子的复合概率增大，电子运动的平均自由程缩短，电离强度反而降低。若反响室压力不变，流量增大，则被抽出的气体量也添加，其间尚没参与反响的活性粒子抽出量也随之添加，因而流量添加对去胶速率的影响也就不甚显着。