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等离子去胶在使用过程中需要注意哪些要素?

发表时间:2022-02-10  |  点击率:124
  去胶工艺是微加工过程中一个重要的过程,在电子束曝光,紫外曝光等微纳米加工工艺后,都要对光刻胶进行去除或打底膜处理。光刻胶是否去除干净对样片是否有损伤等问题,将直接影响后续工艺的顺利完成。等离子去胶性能出色的组件和软件,可对工艺参数进行精确控制。它的工艺监测和数据采集软件可实现严格的质量控制。该技术已经成功的应用于功率晶体管、模拟器件、传感器、光学器件、光电、EMS/MOEMS、生物器件、LED等领域。

  产品具有去胶快速彻底;对样片无损伤;操作简单安全;设计紧凑美观;产品性价比高等优势。
 
  等离子去胶在使用中四大影响要素,希望能帮到大家。
  1、调整合适的频率:频率越高,氧越易电离构成等离子体。频率太高,以致电子振幅比其平均自由程还短,则电子与气体分子磕碰概率反而减少,使电离率降低。通常常用频率为13.56MHz及2.45GHZ。
  2、调整合适功率:关于必定量的气体,功率大,等离子体中的的活性粒子密度也大,去胶速度也快;但当功率增大到必定值,反响所能耗费的活性离子到达饱满,功率再大,去胶速度则无显着添加。由于功率大,基片温度高,所以应根据技术需求调理功率。
  3、调整适合的真空度:恰当的真空度,可使电子运动的平均自由程变大,因而从电场取得的能量就大,有利电离。别的当氧气流量必守时,真空度越高,则氧的相对份额就大,发生的活性粒子浓度也就大。但若真空度过高,活性粒子浓度反而会减小。
  4、氧气流量的调整:氧气流量大,活性粒子密度大,去胶速率加速;但流量太大,则离子的复合概率增大,电子运动的平均自由程缩短,电离强度反而降低。若反响室压力不变,流量增大,则被抽出的气体量也添加,其间尚没参与反响的活性粒子抽出量也随之添加,因而流量添加对去胶速率的影响也就不甚显着。