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等离子去胶

简要描述:等离子去胶工艺拥有低污染颗粒,低成本大规模量产,高均匀性与高可复制性等工艺特征。

  • 产品型号:
  • 厂商性质:代理商
  • 更新时间:2021-12-18
  • 访  问  量: 53

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详细介绍

boffotto 宝丰堂自主研发设计生产的先进干法去胶、掩膜蚀刻系列产品,可用于大批量去胶与大剂量离子注入后去胶,同时还可用于各种硬掩膜层干法蚀刻。

等离子去胶工艺拥有低污染颗粒,低成本大规模量产,高均匀性与高可复制性等工艺特征。采用高度模块化设计,为广大客户提供多样灵活配置方案,满足不同的先进制程要求。
 
等离子去胶应用领域:
1、LDI后光刻胶去除;
2、光刻胶、聚合物去除(灰化);
3、大剂量离子注入后光刻胶去除;
4、二氧化硅、氮化硅、氮化钛掩膜蚀刻;
5、碳化硅、氮化镓、钽酸锂、磷化铟材料工艺;
6、射频滤波器BAW,SAW生产工艺中光刻胶去除;
7、MEMS应用、晶圆级封装(PR、PI、BCB、PBO)。
 

 

 

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