等离子去胶

简要描述：等离子去胶工艺拥有低污染颗粒，低成本大规模量产，高均匀性与高可复制性等工艺特征。

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更新时间：2024-03-19
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boffotto 宝丰堂自主研发设计生产的先进干法去胶、掩膜蚀刻系列产品，可用于大批量去胶与大剂量离子注入后去胶，同时还可用于各种硬掩膜层干法蚀刻。

微波等离子清洗，等离子去胶工艺拥有低污染颗粒，低成本大规模量产，高均匀性与高可复制性等工艺特征。采用高度模块化设计，为广大客户提供多样灵活配置方案，满足不同的先进制程要求。

等离子去胶应用领域：

1、LDI后光刻胶去除；

2、光刻胶、聚合物去除（灰化）；

3、大剂量离子注入后光刻胶去除；

4、二氧化硅、氮化硅、氮化钛掩膜蚀刻；

5、碳化硅、氮化镓、钽酸锂、磷化铟材料工艺；

6、射频滤波器BAW，SAW生产工艺中光刻胶去除；

7、MEMS应用、晶圆级封装（PR、PI、BCB、PBO）。