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晶圆键合自动系统是推动半导体性能扩展的关键

发表时间:2022-12-30  |  点击率:95
  晶圆键合自动系统汇集多项技术突破,令半导体行业向实现3D-IC硅片通道高容量生产的目标又迈进了一步。新系统晶圆对晶圆排列精度是过去标准平台的三倍,生产能力更是比先前高出50%,此外GEMINI FB XT平台还为半导体行业应用3D-IC及硅片通道技术扫清了几大关键障碍,使半导体行业能够在未来不断提升设备密度,强化设备机能,同时又无需求助于越发昂贵复杂的光刻工艺技术。
 
  晶圆对晶圆键合自动系统是激活诸如堆叠式内存,逻辑记忆以及未来互补金属氧化物半导体图像感应器等3D装置的一个关键步骤。与此同时,是实现各键合晶圆之间电接触点的硅片通道尺寸的最小化,降低3D装置成本,支持更高水平装置性能及带宽,减少装置耗电量的一个关键方面。然而,只有实现了各晶圆之间紧密排列和套准精度,保证键合晶圆上互相连接的装置维持高效电接触,并且将键合面上的连接区域最小化,才能够将更多的晶圆面积用于装置生产。
 

 

  晶圆键合自动系统是推动半导体性能扩展的关键
 
  根据IRDS路线图,寄生缩放将成为未来几年逻辑器件性能的主要驱动力,需要新的晶体管架构和材料。IRDS路线图还指出,将需要新的3D集成方法(例如M3D)来支持从2D到3D VLSI的长期过渡,包括背面配电,N&P堆栈,内存逻辑,集群功能堆栈以及CMOS以外的功能采用。层转移工艺和工程衬底通过帮助实现设备性能,功能和功耗的显着改善,正在使逻辑缩放技术成为可能。通过等离子活化进行直接晶圆键合是一种行之有效的解决方案,可实现不同材料的异质集成。
 
  EV Group执行技术总监Paul Lindner表示:“作为晶圆键合的先驱,EVG一直在帮助客户将新的半导体技术从早期研发带入全面生产方面处于蕞前沿。”“将近25年前,EVG推出了业界初款绝缘体上硅(SOI)晶圆键合自动系统,以支持针对利基应用的高频和辐射硬件设备的生产。从那时起,我们一直在不断提高直接键合平台的性能和CoO,以帮助我们的客户将工程基板的优势带入更广泛的应用领域。我们全新的系统解决方案将其提升到一个新的水平,从而提高了生产率,从而满足了对工程衬底和层转移处理不断增长的需求,从而实现了持续的性能。
 
  晶圆键合自动系统是用于前端应用所需的融合/直接晶圆键合的大批量生产系统。该系统采用EVG的LowTemp™等离子活化技术,在一个适用于多种熔融/分子晶片的单一平台上,结合了熔合的所有基本步骤-包括清洁,等离子体活化,对准,预结合和IR检查。绑定应用程序。该系统能够处理200毫米和300毫米晶圆,可确保无空隙,高产量和高产量的生产过程。
 
  晶圆键合自动系统集成了下一代融合/直接键合模块,新的晶圆处理系统和光学边缘对准功能,可提供更高的生产率和生产率,从而满足客户提高工程衬底晶圆生产和M3D集成的需求。