在半导体制造的精密世界里，硅片膜层厚度的微小偏差都可能导致器件性能衰减甚至失效。传统接触式测量方法因易划伤晶圆表面、无法实时监测等问题，逐渐被非接触式技术取代。近红外光（NIR）凭借其特殊的物理特性，成为
硅片厚度测量仪的核心光源，为芯片制造、光伏产业等领域提供了兼具速度与精度的解决方案。
一、穿透性与低吸收：NIR破解多层膜“透明迷宫”
硅片表面常沉积有氧化硅、氮化硅、多晶硅等多层薄膜，传统可见光易被膜层吸收或反射，导致测量信号失真。近红外光（波长范围780-2500nm）的能量较低，能够穿透0.1-10μm厚度的常见膜层，同时被硅片基底部分反射。通过分析反射光中不同波长的相位差与强度变化，测量仪可精准解算出各膜层的几何厚度。例如，在12英寸晶圆制造中，NIR技术可同时检测3层薄膜的厚度，单点测量时间＜0.1秒，较椭偏仪效率提升5倍。
二、抗干扰设计：突破环境噪声的“光学屏障”
生产车间存在的振动、温度波动及背景光干扰，常导致测量数据跳变。NIR测量仪采用三大核心技术构建抗干扰体系：
1.锁相放大技术：通过调制光源频率至kHz级，滤除低频噪声，信噪比提升40dB；
2.共光路干涉结构：将参考光与测量光共路径传输，消除机械振动引起的光程差误差；
3.温度补偿算法：实时监测环境温度，动态修正热膨胀对光学元件的影响。
某光伏企业实测显示，在车间温度波动±3℃的条件下，NIR测量仪的重复性偏差＜0.3nm，远优于行业要求的±1nm标准。
三、全光谱拟合：解锁复杂结构的“光学密码”
对于梯度折射率膜层或纳米级粗糙表面，单一波长测量易产生系统误差。NIR测量仪搭载全光谱扫描模块（覆盖800-1700nm），可获取数百个波长点的反射光谱，并通过机器学习模型拟合出厚度分布。在3D NAND闪存堆叠结构检测中，该技术成功识别出层间5nm级的厚度异常，帮助厂商将产品良率从82%提升至91%。
目前，NIR硅片厚度测量仪已覆盖从研发到量产的全流程，其测量数据与TEM截面分析的吻合度达99.2%。随着EUV光刻、异质集成等先进制程的推进，这项“光学标尺”技术正持续拓展人类对微观世界的认知边界。
