详细介绍
TLS 划片（热激光分离）是一种独特的技术，利用热诱导产生的机械应力来分离硅（Si）、碳化硅（SiC）、锗（Ge）等脆性半导体材料。该技术可将晶圆分割成芯片，同时实现边缘质量，显著提升制造良率与产能。与传统的划片技术（如刀片切割和激光烧蚀）相比，TLS 划片工艺更洁净，切割边缘无微裂纹，并能获得更高的抗弯强度。
TLS 划片的切割速度可达每秒 300 毫米，相比传统划片方法，其工艺吞吐量可提升高达 10 倍，尤其适用于碳化硅（SiC）基器件，能够真正实现高产能的大规模生产。
此外，与其它晶圆划片方法相比，TLS 划片可将每片晶圆的划片成本降低一个数量级甚至更多。
TLS-Dicing 是一种无切缝（kerf-free）的激光解理工艺，可实现：
切割后芯片边缘质量好
•几乎无崩边和微裂纹
•抗弯强度
•电学特性
成本优势与效率
•高工艺速度带来高吞吐量
•无需刀具，几乎无耗材，显著降低拥有成本（CoO）
•无切缝解理，几乎不产生颗粒
TLS-Dicing 是一种用于解理脆性半导体材料的两步分离工艺。
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