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EVG单面/双面掩模对准光刻机

简要描述:EVG单面/双面掩模对准光刻机EVG610(单面/双面掩模对准光刻机 微流控 纳米压印)支持各种标准光刻工艺,如真空,硬,软接触和接近式曝光模式,可选择背部对准方式。此外,该系统还提供其他功能,包括键合对准和纳米压印光刻(NIL)。EVG610提供快速处理和重新加工,以满足不断变化的用户需求,转换时间不到几分钟。其先进的多用户概念适合初学者到专家级各个阶层用户,非常适合大学和研发应用。

  • 产品型号:EVG610
  • 厂商性质:代理商
  • 产品资料:查看pdf文档
  • 更新时间:2022-12-19
  • 访  问  量: 2677

详细介绍

  EVG单面/双面掩模对准光刻机介绍:
  EVG®610 单面/双面掩模对准光刻机是一款紧凑型多功能研发系统,可处理零碎片和大200 mm的晶圆。
  EVG®610 单面/双面掩模对准光刻机( 微流控 纳米压印)支持各种标准光刻工艺,如真空,硬,软接触和接近式曝光模式,可选择背部对准方式。此外,该系统还提供其他功能,包括键合对准和纳米压印光刻(NIL)。EVG610提供快速处理和重新加工,以满足不断变化的用户需求,转换时间不到几分钟。其先进的多用户概念适合初学者到专家级各个阶层用户,非常适合大学和研发应用。
  应用:
  MEMS,RF器件,功率器件,化合物半导体等方面的图形光刻应用。


  EVG单面/双面掩模对准光刻机特征

  1、晶圆/基片尺寸从零碎片到200毫米/ 8英寸
  2、顶部和底部对准功能
  3、高精度对准
  4、自动楔形补偿序列
  5、电动的和程序控制的曝光间隙
  6、支持先进的UV-LED技术
  7、小化系统占地面积和设施要求
  8、分步流程指引
  9、远程技术支持
  10、多用户概念(无限数量的用户帐户和程序,可分配的访问权限,不同语言)
  11、敏捷的处理和转换重新加工

  12、台式或独立式带防振花岗岩台面


  附加功能:
  1.键合对准
  2.红外对准

  3.纳米压印光刻(NIL)


  【技术参数】
  1.掩模版-基板-晶圆尺寸
  掩模版尺寸:5寸/7寸/9寸
  基片/晶圆尺寸:100mm/150mm/200mm
  晶圆厚度:高达10mm
  2.对准模式
  顶部对准精度:≤ ± 0,5 µm
  底部对准精度:≤ ± 2,0 µm
  红外对准模式:≤ ± 2,0 µm/取决于基片的材料
  3.顶部显微镜
  移动范围1:100mm(X轴:32-100mm;Y轴:-50/+30mm;)
  移动范围2:150mm(X轴:32-150mm;Y轴:-75/+30mm;)
  移动范围1:200mm(X轴:32-200mm;Y轴:-100/+30mm;)
  可选:平坦的物镜可以增加光程;带有环形灯的暗场物镜,可以增加对比度
  4.底部显微镜
  移动范围1:100mm(X轴:30-100mm;Y轴:±12mm;)
  移动范围2:150mm(X轴:30-100mm;Y轴:±12mm;)
  移动范围1:200mm(X轴:30-100mm;Y轴:±12mm;)
  可选:平坦的物镜可以增加光程;带有环形灯的暗场物镜,可以增加对比度
  5.曝光器件
  (1)波长范围:
  NUV:350 - 450 nm
  DUV:低至200 nm (可选)
  (2)光源:
  汞灯350W , 500W UV LED灯
  (3)均匀性:
  150mm:≤ 3%
  200mm:≤ 4%
  (4)滤光片:
  汞灯:机械式
  UV LED:软件可调
  6.曝光模式
  接触:硬、软接触,真空
  曝光间隙:1 - 1000 µm
  线宽精度:1µm
  模式:CP(Hg/LED)、CD(Hg/LED)、 CT(Hg/LED) 、CI(LED)
  可选:内部,浸入,扇形
  7.可选功能
  键合对准精度:≤ ± 2,0 µm
  纳米压抑光刻(NIL)精度:≤ ± 2,0 µm
  纳米压抑光刻(NIL)软印章分辨率:≤ 50 nm图形分辨率
  8.设施
  真空:< 150 mbar
  压缩气体:6 bar
  氮气:可选2或者6 bar
  排气要求:汞灯需要;LED不需要
  9.系统方式
  系统:windows
  文件分享和软件备份
  无限程序储存,参数储存在程序内
  支持多语言,含中文
  实时远程支持,诊断和排除故障
  10.楔形补偿
  全自动- 软件控制
  11.规格(单面/双面光刻机 微流控加工 掩模对准)
  占地面积:0.55m²
  高度:1.01m
  重量:约250kg
  纳米压印分辨率:≤ 40 nm(取决于模板和工艺)
  支持工艺:Soft UV-NIL



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