探针式轮廓仪通过物理探针接触样品表面，以高精度测量微观形貌。其核心原理是：探针（通常为金刚石材质，曲率半径50nm-25μm可选）在样品表面划动时，表面微观凹凸使探针产生垂直位移，位移传感器（如压电陶瓷或激光干涉式）将机械位移转化为电信号，经放大、滤波后重建三维轮廓。该技术可实现0.1nm级垂直分辨率和0.05-0.2μm横向分辨率，测量范围达55mm，适用于晶圆薄膜厚度、金属表面粗糙度等场景。精度影响因素可归纳为以下核心维度：探针参数半径：半径过小（如测量力：需控制在微牛级...

在材料科学与电子设备制造领域，薄膜技术的突破正推动着产品性能的迭代升级。从柔性显示屏的透明导电层到半导体芯片的纳米级栅极氧化层，膜厚控制精度直接决定了材料的电学、光学及机械性能。膜厚测量仪作为关键质量检测工具，凭借其非接触、高精度、快速分析的特点，成为研发与生产环节中至关重要的“精密标尺”。一、材料研发：从实验室创新到规模化应用的桥梁在新型材料开发过程中，膜厚测量仪为研究者提供了实时反馈与过程优化手段。例如，在钙钛矿太阳能电池研发中，空穴传输层的厚度需精确控制在20-50纳米...

膜厚测量仪是半导体、光学镀膜、材料科学等领域的关键检测设备，其测量精度直接影响产品质量与工艺优化。本文以常见接触式（如台阶仪）与非接触式（如光谱椭偏仪）仪器为例，系统梳理从仪器校准到数据处理的完整操作步骤，助力用户高效获取可靠数据。一、操作前准备：环境与样品预处理1.环境控制：将仪器置于恒温（20-25℃）、无振动的工作台，避免温度波动或机械振动导致测量误差。关闭强光光源，减少环境光对光学类仪器的干扰。2.样品清洁：用无尘布蘸取异丙醇（IPA）轻轻擦拭样品表面，去除指纹、灰尘...

在半导体制造的精密世界里，硅片膜层厚度的微小偏差都可能导致器件性能衰减甚至失效。传统接触式测量方法因易划伤晶圆表面、无法实时监测等问题，逐渐被非接触式技术取代。近红外光（NIR）凭借其特殊的物理特性，成为硅片厚度测量仪的核心光源，为芯片制造、光伏产业等领域提供了兼具速度与精度的解决方案。一、穿透性与低吸收：NIR破解多层膜“透明迷宫”硅片表面常沉积有氧化硅、氮化硅、多晶硅等多层薄膜，传统可见光易被膜层吸收或反射，导致测量信号失真。近红外光（波长范围780-2500nm）的能量...

动态激光干涉仪作为现代精密测量领域的仪器，其核心技术体系融合了光学、电子学和计算机科学的创新成果。该系统通过激光干涉原理实现纳米级动态测量，在半导体制造、精密光学和超精密加工等领域具有不可替代的作用。一、核心测量原理基于逊干涉仪的光路架构，采用频率稳定的氦氖激光源（波长632.8nm），通过分束镜产生参考光和测量光。当测量光经运动目标反射后与参考光干涉，形成的明暗条纹变化被高灵敏度光电探测器捕获。位移量计算公式为：ΔL=N×λ/2其中N为条纹计数，λ为激光波长。采用四象限探测...