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EVG810 LT 低温等离子活化系统

简要描述:EVG810 LT 低温等离子活化系统用于SOI,MEMS,化合物半导体和高级衬底键合的低温等离子体活化系统。

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价格区间面议产地类别进口
应用领域医疗卫生,电子,航天,综合

EVG810 LT 低温等离子活化系统

 

用于SOI,MEMS,化合物半导体和高级衬底键合的低温等离子体活化系统

 

一、简介

EVG810 LT (LowTemp™)低温等离子活化系统是一个独立单腔室系统,具有手动操作功能。 处理室允许非原位处理(晶片一个接一个地激活并且键合在等离子体活化室外部)。

 

二、特征

     用于低温键合的表面等离子体活化(熔合/分子和中间层键合)

     任何晶圆键合机制的zui快动力学

     无需湿法工艺

     低温退火时的zui高键合强度(zui高400°C)

     适用于SOI,MEMS,化合物半导体和先进封装

     高度的材料兼容性(包括CMOS)

 

三、参数

1.晶圆尺寸:50-200mm,100-300mm

2.低温等离子活化腔:

工艺气体:2种标准工艺气体(N2和O2)

通用大流量控制器:自校准(高达20.000 sccm)

真空系统:0.09 mbar

打开/关闭腔室:自动化

装载/卸载腔室:手动(晶圆/基板放置在装载销上)

3.备选功能:

用于不同的晶圆尺寸的夹头

金属离子激活

带有气体混合的附加工艺气体

带涡轮泵的高真空系统:0.009 mbar的基础气压

 

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