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microMIRA 激光剥离（LLO）系统可在高速加工条件下，实现晶圆上不同薄膜层高度均匀且无机械应力的剥离。由于氮化镓（GaN）基MicroLED通常利用蓝宝石衬底与其相似的晶体结构进行外延生长，因此大多数GaN基MicroLED都生长在蓝宝石上。然而，从蓝宝石这类透明且昂贵的材料上进行剥离是一项重大挑战，只有激光技术才能在保证合理生产效率的前提下实现这一工艺。microMIRA 激光系统特别适用于MicroLED显示制造及半导体制造中，从玻璃和蓝宝石衬底上剥离GaN层。
亮点
•无应力且极速的线光束激光加工
•基于热-机械效应，实现无损伤加工
•全自动系统
•生产成本低
•可集成相邻制造工序，提升晶圆厂整体生产效率
| 将蓝宝石晶圆上的氮化镓（GaN）通过激光剥离（LLO）转移至石英、蓝宝石或其他材料上 | |
| 适用于 | •microLED •miniLED •垂直结构 LED •LED |
| 基板尺寸 | •晶圆尺寸达 8” (200 mm) |
| 激光源与光路系统 | ·采用准分子激光源，波长可根据客户应用需求选择（例如248 nm） •在样品表面的线光束尺寸：205 mm × 0.33 mm（适用于8英寸晶圆） |
| 吞吐量 | •每小时可处理60片8英寸蓝宝石基GaN晶圆（包含工艺及上下料时间，具体产能取决于系统配置和客户工件） |
| 定位系统 | •精精度直驱Y轴和Z轴（可选配θ旋转台） •Y轴：定位精度 ±5 µm，重复定位精度 ±1.5 µm •Z轴：定位精度 ±3 µm，重复定位精度 ±1.5 µm |
| 对准 | •支持手动、半自动或全自动工件对准 •配备X、Y运动系统及光学测量系统 •自动Z轴定位与表面形貌测绘 |
| microMMI 软件 | •控制并监控所有硬件组件及加工参数 •多级用户权限（管理员、主管、操作员） •数据输入文件格式：DXF、CSV、Gerber、CLI，其他格式可按需提供 |
| 选配项 | •光束分析与功率测量模块 •解键合模块 •质量检测模块 •清洗模块 •最多支持4个SMIF载片端口 •其他辅助模块可根据需求提供 |
| 标准 | •符合激光1类安全标准的防护外壳，集成控制面板 •配备认证激光观察窗或全景摄像头（网络摄像头） •洁净室等级要求：上下料及正面区域 ISO 3，剥离工艺区及激光光路系统 ISO 5 •可选配主动式排风系统 |
| 系统尺寸 | 尺寸：6,500 mm × 5,700 mm × 2,200 mm（含上下料系统和激光源） |
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